
За время своей работы Деловой портал «Управление производством» подготовил для нас немало исследований, аналитических материалов и кейсов на примере предприятий-лидеров машиностроения, автомобильной промышленности, энергетики, химической отрасли, но внедрение LEAN-практик не ограничивается этими весьма традиционными сферами. Предприятия и других отраслей при внедрении проходят те же этапы и сталкиваются с теми же трудностями. С первой частью этой статьи вы можете ознакомиться здесь. Мы предлагаем вашему вниманию уникальное исследование, призванное помочь избежать классических ошибок при внедрении LEAN. Оно основано на примере массовых отраслей промышленности: пищевой, фармацевтической, производства медицинского оборудования и электроники. Эти отрасли активно расширяются в России и ориентируются как на внутренний, так и на внешний рынки, поэтому вопросы эффективности для них имеют принципиальное значение.
Когда я со своими коллегами с направления Химия и ИИ начинал делать этот проект, в мире был в самом разгаре интерес к таким 

Иллюстрация: C. Trainer et. al. / Physical Review Letters. Физики провели исследование влияния атома гелия на качество изображений, получаемых с помощью спин-поляризованной сканирующей туннельной микроскопии (СТМ). Было установлено, что единичный атом гелия, расположенный в зоне контакта между иглой СТМ и поверхностью образца, проявляет чувствительность к простому направлению намагниченности. Это свойство позволяет существенно повысить магнитный контраст получаемых изображений. Результаты исследования опубликованы в журнале Physical Review Letters. СТМ является пионером класса микроскопов, использующих для визуализации поверхности зонды в виде сверхтонких игл. Принцип работы СТМ основан на измерении туннельного тока, протекающего между зондом и исследуемой поверхностью. Величина этого тока существенно зависит от расстояния между ними. В процессе сканирования поверхности система обратной связи поддерживает постоянный ток путем регулировки расстояния, что позволяет построить трехмерную карту рельефа образца.