Карбид кремния (SiC) играет ключевую роль в  промышленном произвдстве полупроводников прежде всего благодаря своим уникальным физико – химическим свойствам. Высокая теплопроводность, широкая запрещенная зона и превосходная механическая прочность этого материала делают его весьма востребованным для создания высокоэффективных электронных компонентов. Применение SiC наблюдается в самых разных областях, таких как силовая электроника, высокотемпературные технологии и передовые полупроводниковые устройства. Диоды и транзисторы на основе SiC способствуют значительному повышению энергоэффективности, минимизации тепловыделения и оптимизации размеров электронных систем. Высокая температурная устойчивость и способность работать при высоких напряжениях делают SiC перспективным материалом для электромобилей, систем альтернативной энергетики и промышленных установок.

Кроме того, керамика на основе карбида кремния используется в производстве полупроводников как подложка для эпитаксиального выращивания кристаллов и как защитное покрытие для оборудования, эксплуатируемого в экстремальных условиях.

Исследования планет с весьма неблагоприятными условиями окружающей среды, таких, как Венера, требуют наличия электроники, способной нормально и в течение длительного времени функционировать при температурах свыше 470 градусов по шкале Цельсия, при высоком давлении и в присутствии агрессивных химических соединений. Длительность работы оборудования во всех предыдущих миссиях по изучению Венеры, составляла максимум несколько часов, несмотря на все усилия по защите электронной начинки космических аппаратов от высокой температуры и давления. Обычная электроника, используемая сейчас и в быту и в космической отрасли, основана на кремниевых полупроводниках, которые теряют работоспособность при высокой температуре.

Для решения этой проблемы группа из Исследовательского центра НАСА имени Гленна (NASA Glenn Research Center) разработала высокотемпературную электронику на основе полупроводников из карбида кремния (silicon carbide, SiC). Более того, опытные образцы карбид-кремниевых микросхем, содержащие по нескольку десятков транзисторов, сумели проработать более 4 тысяч часов при температуре в 500 градусов Цельсия. Эти опытные микросхемы представляли собой базовые электронные схемы, такие, как цифровые логические элементы, аналоговые операционные усилители и т.п.

Испытания карбид-кремниевых микросхем проводились внутри установки Glenn Extreme Environments Rig (GEER), которая позволяет моделировать большинство условий на поверхности Венеры, температуру на уровне 460 градусов Цельсия, давление, в 98 раз превышающее земное нормальное давление, высокую концентрацию CO2 и других, еще более агрессивных химических соединений. В апреле прошлого года в этой же установке были проведены испытания первого опытного чипа карбид-кремниевого кольцевого резонатора с 24 транзисторами. Этот резонатор продемонстрировал высокую стабильность работы на протяжении 521 часа (21.7 суток) испытаний. А подобные резонаторы, изготовленные при помощи более современных технологий, способны уже выдерживать по нескольку тысяч часов непрерывной работы.

В настоящее время исследователи НАСА почти закончили изготовление подложек и некоторых образцов карбид-кремниевых микросхем следующего поколения, на кристаллах которых насчитываются уже сотни транзисторов. Естественно, что большее количество транзисторов подразумевает более широкую функциональность этих микросхем, которая уже начнет приближаться к необходимому для космоса минимуму.

Отметим, что данные работы проводятся в рамках проекта FY17 более обширной программы LLISSE (Long-Life In-situ Solar System Explorer). Конечной целью этой программы является создание недорогого универсального исследовательского аппарата, способного работать в течение нескольких месяцев в самых неблагоприятных условиях. И карбид-кремниевая электроника должна стать одной из составных частей этого аппарата. Аппарат, создаваемый в рамках программы LLISSE, может быть использован не только для исследований Венеры. Так же его можно будет использовать для исследований газовых гигантов нашей системы, Юпитера, Сатурна, Урана, Нептуна, и поверхности самой близкой к Солнцу планеты – Меркурия.

И в заключение следует заметить, что карбид-кремниевая электроника может оказаться полезной не только в космосе, Для нее найдется масса областей применения и на Земле, включая промышленность, медицину и научные исследования.

Подробности

1. Свойства карбида кремния в полупроводниках:
   • Широкая запрещенная зона: Карбид кремния имеет запрещенную зону примерно 3,26 эВ, что значительно шире, чем у кремния (1,12 эВ). Это позволяет устройствам SiC работать при более высоких напряжениях и температурах без пробоя, что делает их идеальными для приложений с высокой мощностью.
   • Высокая теплопроводность: Теплопроводность SiC примерно в три раза выше, чем у кремния, что обеспечивает эффективное рассеивание тепла и снижает потребность в сложных системах охлаждения.
   • Механическая прочность: SiC чрезвычайно тверд и долговечен, что делает его пригодным для использования в суровых условиях и в качестве материала подложки при производстве полупроводников.
2. Приложения в силовой электронике:
   • Электромобили (EV): силовые устройства на основе SiC, такие как МОП-транзисторы и диоды, используются в инверторах и бортовых зарядных устройствах для электромобилей. Они повышают энергоэффективность, уменьшают вес и продлевают срок службы батареи.
   • Системы возобновляемой энергии: В солнечных инверторах и ветряных турбинах компоненты SiC повышают эффективность преобразования энергии и снижают потери, способствуя созданию более устойчивых энергетических решений.
   • Промышленные источники питания: Устройства SiC используются в высокочастотных источниках питания и приводах двигателей, обеспечивая более высокую эффективность и компактную конструкцию.
3. Роль в производстве полупроводников:
   • Материал подложки: Пластины SiC используются в качестве подложек для эпитаксиального выращивания нитрида галлия (GaN) и других полупроводниковых материалов. Это имеет решающее значение для производства высокопроизводительных светодиодов, радиочастотных устройств и силовой электроники.
   • Защитные покрытия: Карбидокремниевая керамика наносится в качестве покрытия на оборудование для производства полупроводников для защиты от износа, коррозии и высоких температур, обеспечивая долговечность и надежность.
4. Преимущества перед традиционным кремнием:
   • Более высокая эффективность: Устройства на базе SiC демонстрируют меньшие потери при переключении и более высокий КПД, что делает их превосходящими устройства на основе кремния в приложениях с высокой мощностью.
   • Компактные конструкции: Способность работать на более высоких частотах позволяет использовать компоненты меньшего размера и легче, что особенно полезно в портативной электронике и автомобильной технике.
   • Экологические преимущества: Повышая энергоэффективность, SiC способствует снижению выбросов углекислого газа и энергопотребления в различных отраслях промышленности.
5. Вызовы и перспективы на будущее:
   • Расходы: Производство пластин и устройств из SiC в настоящее время обходится дороже, чем производство кремния, но ожидается, что текущие исследования и эффект масштаба со временем сократят затраты.
   • Сложность производства: Производство устройств SiC требует специализированных процессов и оборудования, что может стать препятствием для широкого внедрения.
   • Инновации и рост: Поскольку спрос на высокопроизводительные полупроводники растет, ожидается, что внедрение SiC будет расти, что обусловлено достижениями в области материаловедения и производственных технологий.

Таким образом, карбид кремния играет жизненно важную роль в полупроводниковой промышленности, предлагая значительные преимущества в силовой электронике, возобновляемых источниках энергии и промышленных приложениях. Его уникальные свойства и универсальность делают его ключевым материалом для развития современных технологий и решения глобальных энергетических проблем.

Сводная таблица:

Немного истории

Первые кристаллы SiC были обнаружены при исследовании метеоритов в каньоне Дьявола в Аризонской пустыне Генри Муассаном (Moissan), который в 1886 году открыл фтор. В 1905 году минералу было присвоено имя открывателя – “муассанит”. Примерно тогда же Эдвард Ачесон запатентовал промышленный метод получения SiC [1]. Концентрация примесей в выращенных этим методом кристаллах достигала 1021см-3, а их размеры были небольшими – 10ґ10ґ3 мм.
Тогда же исследователи установили, что существуют различные виды карбида кремния с одинаковой химической природой, но отличающиеся своими электрофизическими параметрами. Оказалось, что образцы SiC могут иметь различную кристаллическую структуру – кубическую (3С-SiC), гексагональную (2H-SiC, 4H-SiС, 6H-SiC и nН-SiC), ромбоэдрическую (15 R, 21 R и др.). Сегодня известно около 200 кристаллических модификаций SiC. Таким образом, карбид кремния – один из наиболее ярких представителей политипных соединений. Собственно, термин “политипизм” был введен для карборунда.

В 1907 году Х.Раунд наблюдал свечение при прохождении электрического тока через кристалл SiC [2]. Более подробно электролюминесценцию карбида кремния в 1923–1940 годах исследовал О.В.Лосев, установивший, что один из типов свечения связан с наличием на поверхности кристалла особого “активного слоя” [3, 4]. Позже он показал, что проводимость этого слоя – электронная, а проводимость объема образца – дырочная. Лосев также установил существование связи между выпрямлением и электролюминесценцией. Кроме того, он наблюдал изменение цвета свечения при увеличении плотности тока через кристалл. Таким образом, два важнейших для полупроводниковой электроники явления – электролюминесценция и выпрямительные свойства p-n-структур – впервые были обнаружены на кристаллах SiC. Но в то время в радиотехнической промышленности широко применялись электровакуумные приборы, и эти открытия остались незамеченными.

Тогда использовались (и широко используются по сей день) такие физические свойства SiC, как твердость и термостойкость. Твердость карбида кремния составляет 9,2–9,3 по шкале Мосса. Уступает он по этому параметру лишь алмазу и нитриду бора (BN). Изделия из карбида кремния и по сей день применяются в машиностроении, химической, нефтедобывающей, атомной и авиакосмической промышленности. В электронике SiC сначала использовался в качестве конструкционного материала. Так, керамика на основе карбида кремния применяется, например, в мощных клистронах. В последние годы определилась еще одна область применения SiC. Чистые (прозрачные) кристаллы SiC при огранке похожи на алмаз, но их стоимость намного ниже (даже при “каратных” размерах). С 1995 года начался выпуск ювелирных изделий на основе SiC, который в этих изделиях был снова назван муассанитом.

Интерес к карбиду кремния усилился в начале 50-х годов, когда Дж. Лели предложил сублимационный метод получения кристаллов карбида кремния, при котором монокристаллы выращивались в результате перегонки SiC через паровую фазу из более горячих в более холодные области реактора [5]. Этим методом удалось получить политипно-однородные кристаллы неправильной шестиугольной формы очень хорошего структурного совершенства? размером до нескольких сантиметров. Было установлено, что карбид кремния – полупроводник с непрямой зонной структурой, т.е. вероятность излучательной рекомбинации в нем невелика и эффективность (квантовый выход) SiC-светодиодов должна быть на три-четыре порядка меньше, чем в приборах на прямозонных полупроводниках. При этом ширина запрещенной зоны SiC зависит от политипа и изменяется от 2,39 эВ для 3С-SiC до 3,3 эВ для 2Н-SiC. Были определены многие оптические, электрические и другие параметры материала.

Известно, что наши недостатки часто являются оборотной стороной наших же достоинств. Это оказалось справедливым и для SiC. Большая энергия связи атомов в SiC обусловливает высокую температуру роста (>2000°С), а химическая инертность и механическая стойкость – сложность обработки выращенных кристаллов. Травится SiC, и то очень плохо, только в КОН и в смеси HNO3+HF. Из-за технологических сложностей параметры SiC-приборов оказались далеки от теоретических ожиданий, и полупроводниковая промышленность потеряла интерес к этому материалу.

В 70-е – начале 80-х годов изучение свойств SiC продолжалось всего несколькими исследовательскими группами, в основном в СССР. В 1970 году Ю.А.Водаков и Е.И.Мохов предложили сублимационный сэндвич-метод выращивания эпитаксиальных слоев SiC, согалсно которому процесс шел при сближении источника паров и подложки [6]. Этим методом удавалось управляемо получать эпитаксиальные слои SiC как n- , так и p­типа проводимости, то есть создавать SiC p-n-структуры. А в конце 70-х годов Ю.М.Таировым и В.Ф.Цветковым был предложен модифицированный метод Лели выращивания объемных кристаллов SiC [7]. Метод основан на конденсации пара на монокристаллической подложке. Рост проводился при температурах около 2000°С. Диаметр выращиваемого слитка и его политипная структура определялись параметрами исходной затравки, а его длина – длительностью процесса.

На основе этих технологий и их модификаций в ФТИ им. А.Ф.Иоффе в лабораториях Ю.А.Водакова и В.Е.Челнокова к середине 80-х годов было разработано несколько SiC-полупроводниковых приборов и проведены обширные исследования электрофизических свойств карбида кремния. Было установлено, что введение некоторых примесей либо изменение соотношения Si/C в зоне роста может привести к смене политипа растущего эпитаксиального слоя по сравнению с подложкой.

Окончательно интерес к карбиду кремния как перспективному материалу для полупроводниковой электроники возобновился после разработки С.Нишино (S.Nishino) метода газотранспортной (CVD) эпитаксии пленок 3C-SiC на кремниевых подложках [8]. Применение стандартного технологического оборудования и подложек большого размера открыло возможность использовать полученные результаты для создания коммерческих изделий. Вскоре на основе выращенных этим методом эпитаксиальных пленок были созданы несколько типов полевых транзисторов. Однако параметры этих приборов, как и качество самих пленок, оставались невысокими. Обычно такие пленки используются для изготовления мембран или тензодатчиков. Поскольку 3С-SiC (самый узкозонный из политипов карбида кремния) по максимальной рабочей температуре незначительно превосходит фосфид галлия (GaP), вскоре были отработаны режимы CVD роста пленок 6H-SiC на подложках 6Н-SiC. Применение модифицированного метода Лели (подложка), CVD-эпитаксии (эпитаксиальные слои) с последующим плазмохимическим травлением (формирование меза-структур) и металлизацией поверхности позволило создать целый ряд SiC-приборов: светодиодов синей области спектра, фотоприемников УФ-диапазона, выпрямительных диодов, полевых и биполярных транзисторов, тиристоров. В 1993 году в США была разработана и изготовлена первая интегральная схема на SiC.

К сожалению, в 90-е годы работы российских ученых и созданный ими научный потенциал в области физики карбида кремния оказались востребованными в основном лишь западными фирмами и университетами. Уехавшие из СССР ученые стали “центрами кристаллизации”, вокруг которых образовывались фирмы и исследовательские группы в странах Западной Европы и США. В компании Cree (США), мировом лидере по производству и разработке приборов на основе карбида кремния, в начале 90-х годов почти половина научных сотрудников была выходцами из СССР.

SiC – чем он хорош?

Чем же привлекает карбид кремния исследователей на протяжении почти 100 лет? Во-первых, большая, по сравнению с Si и GaAs, ширина запрещенной зоны, что означает больший диапазон рабочих температур (теоретически до ~1000°C), а также возможность создания приборов, излучающих во всем диапазоне видимого света.

Во-вторых, благодаря на порядок большему значению поля пробоя SiC, по сравнению с кремнием, при одном и том же значении напряжения пробоя уровень легирования SiC-диода может быть на два порядка выше, чем кремниевого. А следовательно, его последовательное сопротивление будет меньше и в итоге удельная мощность – больше. В этом же причина высокой радиационной стойкости SiC-приборов.

В-третьих, высокая теплопроводность (для поликристаллического SiC – на уровне теплопроводности меди), что упрощает проблему теплоотвода. Это свойство в сочетании с высокими допустимыми рабочими температурами и большими скоростями насыщения носителей (большие токи насыщения полевых транзисторов) делает SiC-приборы весьма перспективными для использования в силовой электронике.

В-четвертых, высокая температура Дебая, определяющая температуру, при которой возникают упругие колебания кристаллической решетки (фононы) с максимальной для данного материала частотой. Температуру Дебая можно рассматривать как параметр, характеризующий термическую стабильность полупроводника. При превышении этой температуры колебания могут стать неупругими и привести к разрушению материала.

В-пятых, наличие собственной (т.е. изготовленной из того же материала, что и полупроводниковая структура) подложки большого размера. Что так же, как и возможность получения SiC n- и p-типов проводимости и наличие собственного окисла (SiO2), позволят изготавливать на основе SiC любые типы полупроводниковых приборов.

Таким образом, практически по всем важным критериям карбид кремния превосходит классические полупроводниковые материалы – Si и GaAs.
Интересно сравнить SiC с другими широкозонными материалами. По ряду параметров, в первую очередь по уровню излучательной рекомбинации, SiC уступает нитриду галлия (GaN) и нитриду алюминия (AlN). Однако для GaN пока нет собственных подложек, а собственные подложки AlN малы и очень дороги. Эпитаксиальные пленки этих материалов выращиваются методом гетероэпитаксии на подложках из других материалов (SiC, сапфир). В результате плотность дислокаций пленок очень высока (>107 см-2). Дислокации в GaN расположены перпендикулярно поверхности растущего слоя и собираются в кластеры. Выращиваемый слой имеет ячеистую (зернистую) структуру, что приводит к увеличению токов утечки p-n-структур и к их деградации с течением времени. Все это затрудняет создание высоковольтных GaN-приборов. Да и по остальным электрофизическим параметрам (скорость насыщения носителей, поле пробоя, подвижность) объемный GaN не имеет существенных преимуществ перед карбидом кремния. Принципиально недостижимое (из-за высокой вероятности излучательной рекомбинации) большое время жизни носителей заряда в GaN ограничивает применение этого материала для создания биполярных приборов. Низкая теплопроводность и меньшая температура Дебая других широкозонных полупроводниковых материалов приводят к снижению максимальной рассеваемой мощности униполярных приборов. Таким образом, в целом SiC – более перспективный материал для создания мощных приборов по сравнению с GaN и другими элементами группы АIII-N.

Однако формирование GaN/AlGaN-гетеропереходов позволило создать структуры с двухмерным электронным газом, подвижность носителей которых значительно выше, чем в структурах на GaN. Такие структуры – основа транзисторов с высокой подвижностью электронов (High Electron Mobility Transistor, HEMT), превосходящих по параметрам полевые транзисторы на основе объемного SiC. Поэтому сейчас трудно сказать, какой из двух материалов “выйдет в финал”. Возможно, это будет их комбинация, так как лучшие HEMT на основе GaN/AlGaN созданы на SiC-подложках.

Вне конкуренции как по своим параметрам, так и по значениям максимальных рабочих температур, алмаз. Но пока не удается вырастить монокристаллические гетероэпитаксиальные слои алмаза, а размер собственных подложек невелик и, к тому же, они достаточно дорогостоящие. Кроме того, формирование p-n-структур на алмазе задача совсем не простая.

Литература

1. E.G.Acheson.– Chemical.News, 1893, N68, p.179.
   
2. N.J.Round.– Electrical World, 1907, N30, p.309.
   
3. О.В.Лосев.– ЖТФ, 1931, N1, с.718.
   
4. Остроумов А.Г., Рогачев А.А. О.В.Лосев – пионер полупроводниковой электроники.– Сб. ФИЗИКА. Проблемы, история, люди.– Ленинград: Наука, 1986, с. 183–215.
   
5. J.A.Lely. Ber.Dt.Keram.–Ges, 1955, v.32, p.229.
   
6. Yu.A.Vodakov, E.N.Mokhov, M.G.Ramm, A.O.Raenkov.– Krist and Technic, 1979, N14, p.729.
   
7. Yu.M.Tairov, V.F.Tsvetkov.– J.Cryst.Growth, 1978, v.43, p.209.
   
8. S.Nishino, J.Powel, N.A. Will.– Appl.Phys.Lett, v.42, 1983, p.460.
   
9. M. Willander, M. Friesel, Qamar-UL Wahab, B. Straumal. Silicon carbide and diamond for high temperature device applications.– J. of Materials Science: Materials in Electronics, 2006, v.17, p.1– 25.
   
10. Daisuke Nakamura, Itaru Gunjishima, Satoshi Yamaguchi et al. Ultrahigh-quality Silicon Carbide Single Crystals.– R&D Review of Toyota, CRDL, v.41, N2.
    
11. Wicht Technologie Consulting – PRESS RELEASE. Silicon Carbide Electronics Markets 2004–2009: New Horizons for Power Electronics.– PRESS RELEASE – Wicht Technologie Consulting.
    
12. Leo Casey. High Power Silicon Carbide Inverter Design – 100kW Grid Connect Building Blocks. – Boston, Massachusetts, Bogdan Borowy (SatCon Technology Corp.) – Boston, Massachusetts Gregg Davis – Marlboro, Massachusetts Electrical Energy Storage Applications and Technologies Conference (EESAT), 2005.
    
13. Herbert Zirath. Design and fabrication of SiC microwave diodes and field-effect transistors, with applications. European Space Research and Technology Centre (ESTEC). – In: Wide Bandgap Technology Meeting 2001.
    
14. N.Rorsman, P. A. Nilsson, J. Eriksson, K. Andersson, H. Zirath. Investigation of the Scalability of 4H-SIC MESFETs for High-Frequency Applications.– Chalmers University of Technology, Microwave Electronics Laboratory SE-412 96 Goteborg.
    
15. Ho-Young, Thomas, Christopher I et. al. Channel Recessed 4H-SiC MESFETs with Ft of 14.5GHz and Fmax of 40 GHz.– In: Conference on High Performance Devices at University of Delaware, Newark, Delaware, August 6–8, 2002.
    
16. Ho-Young Cha, Christopher I. Thomas et al. The Effect of Channel Recess and Passivation on 4H-SiC MESFETs.– In: Fall MRS Conference, Boston, MA, Dec., 2002.
    
17. Hoon Joo Na, Sang Yong Jung, Myung Yoon Um et al. 4H-SiC Planar MESFETs with Fmax of 40 GHz without Trapping Effect.– School of Materials Science and Engineering, Seoul National University. Electrochem. Soc. Proc., PV2004–6.
    
18. Hoon Joo Na, Jeong Hyun Moon, Jeong Hyuk Yim et al. Fabrication and characterization of 4H-SiC planar MESFETs.– Microelectronic Engineering, 2006, v.83, p.160–164.
    
19. Zhang, A.P., Rowland, L.B., Kaminsky et al. Microwave Power SiC MESFETs and GaN HEMTs.–In: Conference on High Performance Devices at University of Delaware, Newark, Delaware, Aug. 6–8, 2002.
    
20. SiC Activities in France. Wide Bandgap seminar. Thales. October 2001. European Space Research and Technology Centre (ESTEC).– Wide Bandgap Technology Meeting, 2001.
    
21. C. Clarke, A.K. Agarwal, R.R. Siergiej et al. The Mixed Mode 4H-SiC SIT as an S-Band Microwave Power Transistor.-In: Device Research Conference Digest, p.62–63, Santa Barbara, CA, June, 1996.
    
22. J.P. Henning, A. Przadka, M.R. Melloch and J.A. Cooper, Jr. Design and Demonstration of C-Band Static Induction Transistors in 4H Silicon Carbide.– School of Electr. & Comput. Eng., Purdue Univ. –In: IEEE Device Research Conference, Santa Barbara, CA, June 28–30, 1999.
    
23. Asano, K., Sugawara, Y., Hayashi, T et al. 5 kV 4H-SiC SEJFET with Low RonS of 69m/spl Omega/cm/sup 2.-In: Power Semiconductor Devices and ICs, 2002.
    
24. Clarke, R.C., Palmour, J.W. SiC microwave power technologies.– IEEE, 2002, v. 90, Issue 6, p. 987–992.
    
25. Feng Zhao, Ivan Perez-Wurfl, Chih-Fang Huang et al. First Demonstration of 4H-SiC RF Bipolar Junction Transistors on a Semi-insulating Substrate with Ft/Fmax of 7/5.2 GHz.– In: IEEE MTT-S 2005 International Microwave Symposium (IMS).
    
26. Agarwal, A. Haley, J. Bartlowet et al. 2100 W at 425 MHz with SiC RF power BJTs.– In: Device Research Conference Digest, 2005. DRC 2005. 63rd.
    
27. F. Zhao, I. Perez-Wurfl, J. Torvik, B. Van Zeghbroeck. UHF and L-band 4H-SIC RF Bipolar Transistors.– In: 2006 National Radio Science Meeting.
    
28. J. Nishizawa et al. Field-effect Transistor versus Analog Transistor (Static Induction Transistor).– IEEE Trans. on Electron Devices, 1975, v.ED-22, pp. 185–197,.
    
29. Jian H. Zhao. Development of SiC Power Switches.– In: 1st Annual Ground-Automotive Power and Energy Symposium. 2005, July 22.
    
30. Anant Agarwal. Progress in SiC Materials and Devices.– In: 1st Annual Ground -Automotive Power & Energy Symposium Hilton, Detroit/Troy, 2005,
    July 20–22.
    
31. D. Miller, M. Drinkwine. High Voltage Microwave Devices: An Overview.– In: International Conference on Compound Semiconductor Mtg., 2003.
    
32. A.A. Lebedev. Semicond.Sci.Technol, 2006, v.21, R17–R34.
    
33. K. Vassilevski, K. Zekentes, A. Zorenko, L. Romanov.– IEEE EDL, 2000, v.21, p.485.
    
34. К.В.Василевский, П.Б.Гамулецкая, А.В.Кириллов и др.– ФТП, 2004, т.38, вып.2, с.242.
    
35. A.A.Lebedev, A.M.Strelchuk, D.V.Davydov et al. – Appl.Surface Science, 2001б v.184 (1–4) p.419.
    
36. А.А.Лебедев, А.М.Иванов, Н.Б.Строкан.– ФТП, 2004, т.34, вып.2., с.29.