В настоящее время мы отмечаем очередную годовщину параметрического моделирования в современных системах для проектирования (CAD). Одно из первых рабочих решений, использующих все механизмы параметризации, было недавно представлено компанией PTC в составе созданного продукта Pro/ENGINEER. Настоящее время можно считать началом новой эры в области параметрического моделирования, которую мы именуем «Параметрическое моделирование 2.0». Данное поколение технологий включает в себя все возможности предыдущего поколения и существенно расширяет их по нескольким ключевым направлениям. Система OnShape внесла свой вклад в развитие “Параметрического моделирования 2.0” за счет новых возможностей, описанных в статье «Configurations and Standard Content». Прежде чем представить эти новшества, кратко остановимся на причинах важности текущего года для пользователей CAD систем.
Иллюстрация: Hongchao Xie et al. / Nature Physics. Физики совершили неожиданное открытие: путем поворота относительно друг друга антиферромагнитных бислоев в простом трииодиде хрома. Таким образом в веществе был достигнут ферромагнитный порядок. Вобще суммирование антиферромагнитных компонент обычно не приводит к появлению намагниченности. Ученые объяснили этот феномен возникновением спиновых фрустраций в муаровой сверхрешетке, которая нарушает обычный порядок в бислоях. Результаты исследования опубликованы в журнале Nature Physics. Муаровая сверхрешетка формируется при наложении двух атомных кристаллических слоев друг на друга под определенным углом. Такой способ позволяет варьировать электронные, магнитные и оптические свойства гетероструктуры в широком диапазоне, изменяя лишь угол поворота. Наиболее значительный прогресс был достигнут за счет модуляции зарядовой плотности состояний в кристалле, что позволило обнаружить новые явления как для электронов, так и для экситонов.
