
В данной статье мы продолжаем исследование истории развития радиационно-устойчивых микропроцессоров для мощных космических приложений. Рассматривая разные примеры американских и европейских микросхем, мы проследили эволюцию этих чипов от первых однокристалльных процессоров до конца двухтысячных годов, когда проектные нормы космических разработок приблизились к рубежу 100 нм. Переход на суб-100 нм технологии ознаменовался существенным прогрессом в обеспечении радиационной стойкости. Однако каждое последующее поколение технологии ставит перед разработчиками новые вызовы: меняются используемые материалы, требования к топологии, растет статическая мощность (утечки тока даже без воздействия радиации, которые под ее воздействием усугубляются), возрастает значимость одиночных эффектов, переходящих в множественные. Решение этих задач потребовало разработки новых подходов, а также, что интересно, частичного возврата к старым методам.



