Технология получения пластин высокоомного детекторного материала (GaAs) диаметром до 3-х дюймов с толщиной чувствительного слоя до 1 мм и создания производства квантово-чувствительных детекторов ионизирующего излучения в виде детекторных линеек и пиксельных детекторов. Детекторы могут быть использованы в следующих конструкциях: малодозные системы таможенного досмотра и безопасности в аэропортах, вокзалах, на транспортных магистралях (дефектоскопы); малодозные медицинские цифровые аппараты: томографы, маммографы, флюорографы, дентальные аппараты, дефектоскопы. Технические характеристики блока детектирования: длина активной области, не менее: 50 мм.

Читать далее →