Фото: Bloomberg. Генеральный секретарь Организации объединённых наций Антониу Гутерриш, комментируя известный доклад, подготовленный экспертами ООН по климату, обрушился с гневной речью на страны-участницы организации, которые, по его мнению, делают недостаточно для достижения глобальных целей по снижению уровня выбросов. Эти государства, заявил чиновник, выбрали «катастрофический путь, ведущий к массовой гибели и утрате средств к существованию для миллионов людей». Между тем, за несколько дней до его выступления в Исландии произошло событие, способное вселить известную долю оптимизма в тех, кто следит за климатической повесткой. На юго-западе острова, неподалеку от Рейкьявика, окрыли крупнейшую в мире установку по улавливанию СО2 из атмосферного воздуха производительностью 4 тыс. тонн диоксида углерода в год. Цифры не то чтобы поражают воображение: примерно столько, по данным американского Агентства по защите окружающей среды (Environmental Protection Agency), выбрасывают в год 870 автомобилей, так что проблему глобального потепления установка точно не решит.
Изучение доменной динамики сегнетоэлектрика при циклическом изменении приложенного поля позволило понять механизмы его деградации
Иллюстрация: R. Ignatans et al. / Physical Review Letters, 2021. Физики исследовали доменную динамику сегнетоэлектрика при циклическом изменении приложенного поля в просвечивающем электронном микроскопе. Они выяснили, что домены демонстрируют различный характер баркгаузеновских скачков в зависимости от того, взаимодействует домен с решеткой или с другим доменом, а также обнаружили элементарный механизм, приводящий к деградации сегнетоэлектрика. Исследование опубликовано в Physical Review Letters. Наведение электрического поля на вещество вызывает в нем перераспределение зарядов, что выражается в индуцированной поляризации. Однако существуют среды, называемые сегнетоэлектриками, в которых поляризация существует даже в отсутствие внешних полей. Это вызвано одинаковым направлением локальных диполей, чей порядок сохраняется в пределах некоторого домена. Направление этой поляризации можно менять, прикладывая электрическое поле.
Ручной комплекс радиоэлектронной борьбы с БПЛА “Гарпун” вышел на полигонные испытания
На фото: Изделие “Гарпун-3” на учениях “Нерушимое братство-2021”. В настоящее время в нашей стране очень активно разрабатываются разнообразные комплексы радиоэлектронной борьбы, предназначенные для активного противодействия беспилотным летательным аппаратам. Часть таких проектов предусматривает создание ручных комплексов, по эргономике близких к винтовкам или ружьям. Одной из последних разработок такого рода является комплекс «Гарпун-3», недавно дошедший до проверки на полигоне. Комплексы противодействия БПЛА линейки «Гарпун» разрабатываются компанией «Технологии автоматизации и программирования» (г. Санкт-Петербург). Несколько лет назад был представлен первый образец семейства, «Гарпун-1». С 2019 г. на выставках демонстрировался усовершенствованный комплекс «Гарпун-2М» с повышенными характеристиками и новыми функциями. Наконец, в этом году на салоне МАКС-2021 впервые представили очередной комплекс – «Гарпун-3».
На Ленинградской АЭС досрочно выполнен план по производству изотопа кобальта-60
Фото: © www.rosatom.ru. Ленинградская АЭС (филиал АО «Концерн Росэнергоатом») досрочно выполнила годовой план по наработке изотопа кобальт-60. «На сегодняшний день мы выполнили годовой план производства кобальта-60 на 129%, — отметил начальник отдела радиационных технологий Ленинградской АЭС Станислав Сильвеструк. — Около 20% ежегодно изготавливаемых в мире промышленных кобальтовых источников сделаны из кобальта-60, произведенного Ленинградской АЭС». Станция производит изотоп кобальт-60, который используется в производстве источников гамма-излучения, широко применяемых во многих отраслях промышленности. Промышленные источники ионизирующего излучения на основе кобальта-60 — ценный продукт, востребованный во всем мире. Они предназначены в частности для стерилизации и дезинсекции пищевых продуктов и медицинских инструментов и материалов; стимуляции роста и урожайности зерновых и овощных культур;
Имитационное моделирование вычислительных сетей предприятия с целью оптимизации трафика и ресурсов
Данная работа посвящена вопросам анализа, планирования и имитационного моделирования процессов приоритезации трафика в мульти-сервисных сетях предприятия. В настоящее время в корпоративных сетях при проведении аудита и анализа потоков трафика, проходящего через сеть передачи данных (далее СПД), можно заметить, что через СПД передаётся трафик различных типов, протоколов и уровней модели OSI. Это может быть голосовой трафик исходящий от IP телефонов или телефонных станций, видео-трафик в реальном времени возникший благодаря видеоконференциям между филиалами, различный трафик управления и поддержания работы оборудования и сетевой инфраструктуры (keepalive, heartbeat, sync, …) и т.д. У сети передачи данных есть собственные метрики, которые позволяют оценить её качество. Вопросам проектирования мультисервисных сетей и СПД на основе имитационного моделирования посвящены работы [1-5]. Можно выделить следующие важные для оценки характеристики сети:
Открыта способность топологического изолятора однонаправленно распространять микроволновое излучение
Иллюстрация: Z. Zhang et. al. / Nature, 2021. Швейцарские физики объединили свойства топологических изоляторов Черна со свойствами изоляторов Флоке для изготовления среды с аномально высокими изоляционными свойствами поверхностных мод. Такая среда оказалась способна эффективно однонаправленно распространять микроволновое излучение, чей сигнал был устойчивым к распределенным помехам очень большой амплитуды и к сложной форме границы. Работа опубликована в Nature. Топологические изоляторы — это материалы, структура которых заставляет фотоны, электроны и другие типы квазичастиц двигаться только вдоль границы материала, хотя внутри никакой проводимости нет. Их главное отличие от прочих поверхностных проводников в топологической защите поверхностных состояний от дефектов и температуры с помощью присутствующих симметрий. В перспективе это поможет снизить требования к чистоте и числу дефектов для материалов фотоники, фононики и электроники.