Технология получения пластин высокоомного детекторного материала (GaAs) диаметром до 3-х дюймов с толщиной чувствительного слоя до 1 мм и создания производства квантово-чувствительных детекторов ионизирующего излучения в виде детекторных линеек и пиксельных детекторов. Детекторы могут быть использованы в следующих конструкциях: малодозные системы таможенного досмотра и безопасности в аэропортах, вокзалах, на транспортных магистралях (дефектоскопы); малодозные медицинские цифровые аппараты: томографы, маммографы, флюорографы, дентальные аппараты, дефектоскопы. Технические характеристики блока детектирования: длина активной области, не менее: 50 мм.
Шаг чувствительных элементов, не более: 50 мкм. Количество каналов, не менее: 1000. Диапазон энергий рентгеновского излучения: 15-140кэВ. Пространственное разрешение, не хуже: 10 пар линий/мм. Контрастная чувствительность: 1%. Физический интерфейс с ПК: IEEE802.3u 100Base-TX. Протокол передачи: TCP/IP.
Особенность технологии:
Прямое преобразование квантов высокоэнергетического электромагнитного излучения в сигнал. Высокое пространственное разрешение и высокая эффективность преобразования являются основными преимуществами разработанного детекторного модуля по сравнению с наиболее распространенным аналогами.
