Цифровое производство нашло свое применение в медицине, космонавтике, производстве готовой продукции и прототипировании. Хотя 3D печать принято считать одним из главных открытий двадцать первого века, в действительности аддитивные технологии появились на несколько десятилетий раньше. Объединенная судостроительная корпорация (ОСК) на практике проверила возможность использования в своем производстве аддитивных технологий и собирается активно внедрять их в ближайшем будущем. Уже в этом году корпорация планирует получить первую аддитивную машину отечественного производства. Подробнее об этом новом для корпорации опыте рассказал вице-президент по техническому развитию ОСК ДМИТРИЙ КОЛОДЯЖНЫЙ. ДМИТРИЙ КОЛОДЯЖНЫЙ, вице-президент по техническому развитию ОСК
Архив за месяц: Январь 2018
Технология искусственного интеллекта «Amazon Alexa» активно осваивает мир
31 августа 2012 года четыре инженера компании Amazon подали заявку на масштабный патент, получивший впоследствии название «Alexa». Речь шла о технологии искусственного интеллекта, реагирующего на голос человека. Прошло пять лет, и теперь умные колонки под управлением «Алексы» можно встретить в десятках миллионов американских домов. Кроме Amazon в перспективное направление вкладываются другие тех. гиганты. Google уже встраивает своего ассистента в холодильники и пылесосы, а Microsoft сообщила об интеграции Cortana в холодильники, термостаты и тостеры. Ожидается, что по итогам 2017-го больше 4 миллиардов электронных девайсов будут оснащены цифровыми помощниками.
Ученые обнаружили, что эффект “отрицательной электрической емкости” увеличивает быстродействие и уменьшает расход энергии транзисторами
Исследователи из университета Пурду (Purdue University) получили первые подтверждения в эксперименте того, что эффект так называемой “отрицательной электрической емкости” может увеличить быстродействие и уменьшить расход энергии транзисторами, базовыми компонентами всех современных электронных чипов. Данное достижение является первым экспериментальным подтверждением идеи “отрицательной емкости” выдвинутой группой ученых из этого же университета еще в 2008 году. В своей работе исследователи использовали тончайший, условно двухмерный слой молибденита, дисульфида молибдена, полупроводникового материала, из которого был изготовлен канал транзистора, смежный с управляющим электродом, затвором.
