Ученые и инженеры компании IBM, совместно с их коллегами из компании Samsung, опубликовали работу, в которой описываются их достижения в области разработки компьютерной памяти нового типаSTT-MRAM (spin-transfer torque (STT) magnetic random-access memory (MRAM)). Созданный ими опытный образец чипа STT-MRAM, емкостью 4 килобита, продемонстрировал время записи информации на уровне 10 наносекунд, при этом потребление тока одной ячейкой составило всего 7.5 микроампера.

На кристалле опытного чипа были в целях эксперимента созданы STT-MRAM ячейки различных размеров, от 50 до 11 нанометров, но все они продемонстрировали схожие характеристики.

“Используя уникальные материала и вещества, мы добились работы ячеек STT-MRAM памяти с уровнем ошибок 7*10^-10 при записи информации. Время переключения составляет всего 10 наносекунд, потребляемый ток – 7.5 микроампер, а суммарная энергия – 100 фемтоджоулей” – пишут исследователи, – “Таких показателей невозможно добиться при использовании обычных ячеек магнитной памяти. Но, для того, чтобы поставить память нового типа на промышленные рельсы, нам предстоит проделать немало работы и провести множество дополнительных исследований. Но вы твердо уверены в том, что обязательно придет время, когда память Spin Torque MRAM станет заменой традиционной флэш-памяти”.

Согласно имеющейся информации память STT-MRAM минимум в 100 тысяч раз быстрее традиционной флэш-памяти. Кроме этого, она имеет еще несколько значительных преимуществ, главным из которых является то, что информация, записанная в STT-MRAM ячейках, никогда не сотрется, не исказится и не потеряется. Вторым преимуществом является то, что данный тип памяти потребляет энергию только в моменты записи или считывания информации, в моменты, когда память неактивна, чип памяти не потребляет энергию вообще.

Столь очевидные преимущества STT-MRAM памяти перед другими типами памяти, которые являются кандидатами на замену традиционным типам, делают ее предметом повышенного интереса со стороны ведущих производителей компьютерной памяти. А то, что разработкой занялись такие гиганты, как IBM и Samsung, вселяет уверенность в том, что разработка будет доведена до логического конца.

Память STT-MRAM может использоваться в качестве универсальной памяти в устройствах с низким энергопотреблением, к примеру, устройствах из разряда “Интернета вещей” и в мобильных устройствах. К сожалению, не стоит рассчитывать, что память STT-MRAM придет на смену флэш-памяти в самое ближайшее время. Как уже было сказано выше, ученым потребуется еще некоторое время на доведение технологии до уровня крупномасштабного промышленного производства.

Понравилась статья? Тогда поддержите нас, поделитесь с друзьями и заглядывайте по рекламным ссылкам!